tch 장비 Backside He Pressure가 흔들리는 이유는? He Supply, ESC Clamping, Wafer Contact, He Leak, Pressure Sensor, Bias RF 등 7가지 원인과 ESC Cooling Trouble 점검 방법을 설명합니다. Etch 장비를 다루다 보면 RF Power나 Chamber Pressure처럼 눈에 잘 들어오는 Parameter가 있습니다. 그런데 공정 결과에 영향을 줄 수 있으면서도 처음에는 상대적으로 중요성을 체감하기 어려운 Parameter가 하나 … 더 읽기
Etch 장비 ESC란 무엇일까요? Electrostatic Chuck이 Wafer를 고정하는 원리부터 Coulomb·Johnsen-Rahbek 방식, Backside He Cooling, Bias RF와 Etch 공정에 미치는 영향까지 쉽게 설명합니다. Etch 장비를 처음 접했을 때는 Wafer가 Chamber 안에서 어떻게 고정되는지 크게 생각해본 적이 없었습니다. Wafer를 정해진 위치에 올려놓고 공정을 진행하는 정도로만 이해했습니다. 그런데 Etch 장비의 구조를 하나씩 알아가면서 궁금한 점이 생겼습니다. “Chamber 내부는 … 더 읽기
반도체 MFC란 무엇일까요? Mass Flow Controller의 작동 원리부터 Etch Gas Flow가 흔들리는 이유 7가지, Chamber Pressure와 Plasma, Etch Rate 및 Selectivity에 미치는 영향까지 장비 엔지니어 관점에서 설명합니다. Etch 장비를 다루다 보면 RF Generator나 Matcher처럼 눈에 띄는 장비도 있지만, 공정 결과에 상당히 중요한 영향을 주면서도 상대적으로 관심을 덜 받는 부품이 있습니다. 바로 **MFC(Mass Flow Controller)**입니다. 처음 … 더 읽기