Etch Rate가 갑자기 변하는 이유 7가지는? RF Power, MFC Gas Flow, Chamber Pressure, ESC Temperature, Backside He, Seasoning과 Wafer 조건이 식각 속도에 미치는 영향을 설명합니다. Etch 장비를 다루다 보면 공정 결과와 장비 Parameter를 연결해서 생각해야 하는 순간이 있습니다. 그중에서도 제가 중요하게 생각하는 지표가 바로 Etch Rate입니다. 처음에는 Etch Rate를 단순히 식각 속도라고만 이해했습니다. 일정 시간 … 더 읽기
tch 장비 Backside He Pressure가 흔들리는 이유는? He Supply, ESC Clamping, Wafer Contact, He Leak, Pressure Sensor, Bias RF 등 7가지 원인과 ESC Cooling Trouble 점검 방법을 설명합니다. Etch 장비를 다루다 보면 RF Power나 Chamber Pressure처럼 눈에 잘 들어오는 Parameter가 있습니다. 그런데 공정 결과에 영향을 줄 수 있으면서도 처음에는 상대적으로 중요성을 체감하기 어려운 Parameter가 하나 … 더 읽기
Etch 장비 ESC란 무엇일까요? Electrostatic Chuck이 Wafer를 고정하는 원리부터 Coulomb·Johnsen-Rahbek 방식, Backside He Cooling, Bias RF와 Etch 공정에 미치는 영향까지 쉽게 설명합니다. Etch 장비를 처음 접했을 때는 Wafer가 Chamber 안에서 어떻게 고정되는지 크게 생각해본 적이 없었습니다. Wafer를 정해진 위치에 올려놓고 공정을 진행하는 정도로만 이해했습니다. 그런데 Etch 장비의 구조를 하나씩 알아가면서 궁금한 점이 생겼습니다. “Chamber 내부는 … 더 읽기
Etch Chamber Seasoning이란 무엇일까요? PM 후 바로 Wafer를 투입하지 않는 이유부터 Chamber Wall, Plasma Chemistry, First Wafer Effect와 공정 안정화 원리까지 장비 관점에서 설명합니다. Etch 장비를 다루면서 처음에는 이해하기 어려웠던 과정 중 하나가 바로 Chamber Seasoning이었습니다. 장비 PM(Preventive Maintenance)을 진행하면 Chamber 내부를 Cleaning하고, 필요한 Parts를 점검하거나 교체합니다. 오염된 부분을 깨끗하게 만들고 문제가 있는 부품도 정비했으니 … 더 읽기
반도체 MFC란 무엇일까요? Mass Flow Controller의 작동 원리부터 Etch Gas Flow가 흔들리는 이유 7가지, Chamber Pressure와 Plasma, Etch Rate 및 Selectivity에 미치는 영향까지 장비 엔지니어 관점에서 설명합니다. Etch 장비를 다루다 보면 RF Generator나 Matcher처럼 눈에 띄는 장비도 있지만, 공정 결과에 상당히 중요한 영향을 주면서도 상대적으로 관심을 덜 받는 부품이 있습니다. 바로 **MFC(Mass Flow Controller)**입니다. 처음 … 더 읽기
Etch Chamber Pressure가 흔들리는 이유는? APC, Throttle Valve, Vacuum Pump, MFC와 Pressure Sensor의 원리부터 압력 불안정 원인 7가지와 Troubleshooting 방법까지 장비 관점에서 설명합니다. Etch 장비를 다루면서 생각보다 중요하다고 느끼는 Parameter 중 하나가 바로 Chamber Pressure입니다. 처음에는 저는 Pressure를 단순히 Chamber 내부의 압력이라고만 생각했습니다. Recipe에서 20mTorr를 요구하면 실제 Pressure도 20mTorr에 맞춰지고, 그 상태를 유지하면 되는 것 … 더 읽기
Etch 장비 Arc는 왜 발생할까요? Polymer, 절연 부품, RF Power, Grounding, Particle, Gas·Pressure, ESC와 Wafer Charging까지 Plasma Arc가 발생하는 7가지 원인을 장비 엔지니어 관점에서 설명합니다. Etch 장비에서 RF 관련 데이터를 확인하다 보면 평소와 다르게 Reflected Power가 순간적으로 튀거나, Plasma가 불안정해지는 상황을 접할 수 있습니다. 이럴 때 확인해야 할 현상 중 하나가 바로 Arc입니다. 처음 Arc라는 … 더 읽기
Etch Plasma 불안정해지는 이유는 무엇일까요? Gas, Pressure, RF Power, Matcher, Chamber Condition 등 Plasma Ignition 실패와 흔들림을 만드는 7가지 원인을 장비 관점에서 설명합니다. Etch 장비에서 공정을 이해하다 보면 결국 가장 중요한 곳 중 하나가 Plasma라는 생각이 듭니다. Gas가 정상적으로 들어오고 있습니다. Chamber Pressure도 Recipe 값에 맞게 형성됩니다. RF Generator에서도 Power가 정상적으로 출력되는 것처럼 보입니다. 그런데 … 더 읽기
Etch Reflected Power는 왜 높아질까요? Matcher, Plasma, Gas, Pressure, RF Cable과 Chamber Condition까지 반사전력이 증가하는 7가지 원인과 RF Trouble 점검 흐름을 설명합니다. Etch 장비를 보다 보면 RF 관련 Parameter 중에서 신경 쓰이는 값이 하나 있습니다. 바로 Reflected Power입니다. Forward Power는 Recipe에서 요구하는 값까지 정상적으로 올라가는데 Reflected Power가 평소보다 높게 나타나거나, Process 중 갑자기 튀는 모습을 … 더 읽기
반도체 Matcher란 무엇일까요? Etch 장비의 RF Matching Network부터 Forward Power와 Reflected Power, 임피던스 매칭 및 Plasma와의 관계를 장비 관점에서 쉽게 설명합니다. Etch 장비에서 RF Generator를 보다 보면 자연스럽게 같이 보게 되는 장치가 하나 있습니다. 바로 Matcher, 정확히는 RF Matching Network입니다. 저도 처음 장비를 접했을 때는 RF Generator의 역할이 상대적으로 이해하기 쉬웠습니다. “RF Power를 만들어서 Plasma를 … 더 읽기